英诺赛科取得“半导体器件测试电路”专利，助力产业降本增效

近日，据国家知识产权局信息显示，英诺赛科取得了一项新的专利——“一种半导体器件测试电路”，授权公告号为CN 222070760 U，该专利的申请日期为2024年3月。这一创新成果再次彰显了英诺赛科在半导体技术领域的领先地位。

据国家知识产权局披露的专利摘要显示，英诺赛科此次获得的专利涉及一种新型的半导体器件测试电路。该电路由功率模块、多个电流采样模块、开关模块和处理模块组成。功率模块负责按照处理模块输出的调节信号产生动态电压至被测器件，而电流采样模块则负责采集被测器件的漏电流信息。开关模块则根据处理模块的使能信号依次导通传输通道，将漏电流信息传输至处理模块。这一技术方案实现了对多个被测器件进行漏电流信息采集和实时检测，同时减少了电源和功率模块的数量，从而降低了成本。

作为全球氮化镓行业的龙头企业，英诺赛科在消费电子产品、可再生能源及工业应用、汽车电子产品及数据中心等多个应用领域均有出色的表现。其强大的研发团队为公司的持续创新提供了坚实的支持。截至2024年6月30日，英诺赛科已拥有304名研发人员，其中包括众多半导体行业的资深专家，他们在技术和材料创新方面拥有丰富的专业知识。

此外，英诺赛科在全球范围内拥有超过740项专利及专利申请，涵盖了芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等多个关键领域。这些专利和技术积累为英诺赛科在全球氮化镓市场的领先地位提供了有力的保障。

英诺赛科在氮化镓半导体行业的领先地位不仅得益于其强大的研发团队和专利积累，还得益于其在8英寸硅基氮化镓晶圆技术方面的突破。凭借前瞻性的布局和突破性的技术，英诺赛科成功在全球率先实现了8英寸硅基氮化镓晶圆量产。截至2024年6月30日，公司的8英寸硅基氮化镓晶圆良率已超过95%，并突破了每月12,500片晶圆的生产瓶颈，实现了产业规模的商业化。

在封装技术方面，英诺赛科同样表现出色。为确保氮化镓产品的可靠性和最佳性能，公司不断创新封装形式，并在各个应用领域进行针对性优化。凭借稳定的生产力和产品可靠性，根据招股书，公司2023年以氮化镓分立器件出货量计，在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一。

此次获得半导体器件测试电路专利，是英诺赛科在技术创新和产品研发方面的又一重要里程碑。随着全球半导体市场的快速发展和竞争的日益激烈，英诺赛科将继续加大研发投入，不断推出更多具有自主知识产权的创新产品和技术，为全球客户提供更优质的服务和解决方案。