半导体设备Type A分压式基座的关键性能参数--江苏泊苏系统集成有限公司

半导体设备 Type A 分压式基座的关键性能参数主要包括以下几个方面：

1,机械性能参数

(1)平整度：是指基座表面的平整程度，通常要求达到微米甚至亚微米级别的高精度平整度。如在光刻工艺中，光刻机的 Type A 分压式基座平整度不足，会导致硅片在曝光过程中与光刻掩模版之间的间距不均匀，影响光刻图案的清晰度和精度，进而影响芯片的线宽均匀性等关键性能指标 。

(2)平行度：基座不同部位之间的平行程度也至关重要。对于离子注入机等设备，离子束需要在平行的路径上准确地注入到硅片表面，如果基座的平行度不好，会使离子束发生偏移，导致离子注入的不均匀性，影响芯片的电学性能一致性。

(3)硬度与刚性：足够的硬度和刚性能够保证基座在承受设备自身重量以及工作过程中的各种作用力时，不会发生变形。以蚀刻机为例，蚀刻过程中可能会产生振动和应力，如果基座刚性不足，就容易产生晃动或变形，进而影响蚀刻的均匀性和精度。

2,电学性能参数

(1）电阻值：基座的电阻值需要控制在一定范围内，以确保电流能够稳定通过，同时避免产生过多的热量。特别是在一些涉及到电加热或电磁控制的半导体设备中，不合适的电阻值可能导致温度失控或电磁场分布不均匀，影响设备的正常运行和工艺稳定性。

（2）介电常数：介电常数影响着基座对电场的响应特性。在一些等离子体处理设备中，如等离子体蚀刻机或化学气相沉积设备中的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，需要精确控制等离子体的产生和分布，基座的介电常数不合适可能导致等离子体的不均匀激发，从而影响蚀刻或沉积的效果。

3，热学性能参数

（1)热导率：良好的热导率有助于热量在基座中的均匀传递和快速散发。在半导体制造过程中，许多工艺需要精确的温度控制，如退火工艺、外延生长工艺等。Type A 分压式基座如果热导率不佳，会导致温度梯度的产生，进而影响工艺的一致性和重复性，最终影响芯片的性能和质量。

(2)热膨胀系数：基座的热膨胀系数需要与所接触的其他部件相匹配。在温度变化的环境中，若基座的热膨胀系数过大或与相邻部件不匹配，会导致部件之间的连接松动或产生应力集中，影响设备的稳定性和可靠性，甚至可能造成设备故障。

4,真空性能参数

(1)漏气率：对于需要在真空环境下工作的半导体设备，如电子束蒸发镀膜设备、分子束外延设备等，Type A 分压式基座的漏气率必须极低。即使微小的漏气也可能导致真空度下降，影响工艺的进行，如导致薄膜沉积过程中的杂质混入，降低薄膜质量。

(2)放气率：基座材料本身在真空环境下的放气特性也需要考虑。如果放气率过高，会释放出大量的气体分子，污染真空环境，干扰工艺过程，影响半导体器件的性能和成品率。

5,表面特性参数

(1)粗糙度：基座表面的粗糙度会影响其与其他部件的接触性能和气体分子的吸附特性。在一些高精度的半导体工艺中，如原子层沉积（ALD）工艺，需要严格控制反应气体在基座表面的吸附和反应过程，粗糙度过高的基座表面可能导致气体吸附不均匀，影响沉积薄膜的均匀性和质量。

(2)清洁度：基座表面的清洁度直接关系到半导体工艺的可靠性。任何微小的污染物颗粒都可能在工艺过程中转移到硅片表面，造成芯片的缺陷。因此，Type A 分压式基座需要经过严格的清洗和处理工艺，确保表面达到极高的清洁度标准。

作者：江苏泊苏系统集成有限公司