准备弯道超车！三星启动1nm工艺研发，力求2029年量产

据报道，为了应对台积电，三星电子半导体研究所已经成立了 1nm 芯片的工艺研发团队，并抽调了部分参与过 2nm 等尖端制程的研发人员加入其中，掉队的三星准备要搞起弯道超车了。

1nm 工艺是三星 " 梦想中的半导体工艺 "，想要成功实现，需要引入全新的技术概念和高数值孔径极紫外（High-NA EUV）设备。现在在三星公开的晶圆代工工艺路线图中，目前下一代的尖端工艺是 2027 年量产 1.4nm，量产 1nm 则是 2029 年的目标。而要想实现 1nm 工艺的难度非常巨大，台积电自己都在摸索中，所以没有人敢打包票什么时候能够成功量产 1nm 芯片，但三星无疑是这里面最着急的。在内部，三星集团会长李在镕已经多次强调要 " 延续重视技术的传统 "，并表示要 " 以前所未有的技术引领未来 "。

在 3nm 制程争夺战中，三星想要另辟蹊径，抛弃了传统的 FinFET 技术，选择采用更为先进的 GAA 架构，但 GAA 的水太深，三星没有把握住，导致其良率大打折扣。反观仍然选择 " 老旧 " 的 FinFET 技术的台积电，直接把 3nm 良率做到了 80% 以上，直接把三星揍得体无完肤，让三星失去了巨大的市场份额，甚至使其在 2nm 制程上也落后于台积电。台积电和三星两大巨头的商战，非常形象地演绎了 " 对手的失误就是我们的胜利 " 这句话的精髓。

落后就要挨打，急了的三星必须抓紧抢时机，毕竟任何一个行业都不希望看到有企业一家独大，当年 Intel 遥遥领先 AMD 后就学会了挤牙膏，直到 AMD 打出了漂亮的翻身仗，才有了广大玩家脸上的笑容。希望三星和台积电的这场硬仗，也会迎来 "AMD YES！" 时刻。